原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌

	原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌
	牛智川
刊名	半导体光电
	2004
卷号	25 期号:2 页码:162-164
中文摘要	研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中，原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明，在GaAs的(311)A和(331)A面，原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型，解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目（6 176 6，6 2541 ）,国家自然科学基金资助项目（6 176 6，6 2541 ）
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17439]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌[J]. 半导体光电,2004,25(2):162-164.
APA	牛智川.(2004).原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌.半导体光电,25(2),162-164.
MLA	牛智川."原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌".半导体光电 25.2(2004):162-164.