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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [2]
2009 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2001 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Dynamics of dense spin ensemble excited in a barrier layer and detected in a well
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1108-1111
作者:
Zhu H
;
Wang LG
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2011/07/05
spin polarized transport
optical orientation
dense spin relaxation
quantum well
TRANSPORT
Temperature and electron density dependence of spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum well
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.84
Han LF
;
Zhu YG
;
Zhang XH
;
Tan PH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:47/2
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提交时间:2011/07/05
ROOM-TEMPERATURE
Spin dynamics of electrons in the first excited subband of a high-mobility low-density two-dimensional electron system
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 19, 页码: art.no.193301
Luo HH (Luo Haihui)
;
Qian X (Qian Xuan)
;
Ruan XZ (Ruan Xuezhong)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Umansky V (Umansky Vladimir)
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浏览/下载:267/47
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
magnetic semiconductor
magnetic p-n junction
ion beam epitaxy
gadolinium silicides
METAL-INSULATOR-TRANSITION
P-N-JUNCTION
INDUCED FERROMAGNETISM
SI/SIER INTERFACE
BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
EXCITATION
MAGNETORESISTANCE
ALLOYS
Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765
Luo XD
;
Bian LF
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2010/08/12
GaAsSb/GaAs
selectively-excited
type II transition
ROOM-TEMPERATURE
GAAS
DOTS
OPERATION
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 20, 页码: 3795-3797
Luo XD
;
Hu CY
;
Xu ZY
;
Luo HL
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
BAND ALIGNMENT
GAAS
DOTS
LASERS
OPERATION
OFFSETS
Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1909-1911
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
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浏览/下载:126/9
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提交时间:2010/08/12
HIGH-PERFORMANCE
HEMTS
HETEROSTRUCTURES
Ab initio calculations for the neutral and charged O vacancy in sapphire
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 12, 页码: 7277-7284
Xu YN
;
Gu ZQ
;
Zhong XF
;
Ching WY
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/17
OPTICAL-ABSORPTION
CORUNDUM CRYSTALS
ALPHA-ALUMINA
F+ CENTER
ALPHA-AL2O3
AL2O3
DEFECTS
SIMULATION
DAMAGE
STATES
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