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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [2]
2002 [1]
2000 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
Zhu BL
;
Zhu SJ
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
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浏览/下载:96/5
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提交时间:2011/07/05
conductivity
doping
photoluminescence
pulsed laser deposition
ZnO
ZINC-OXIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
OXYGEN-PRESSURE
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
VIOLET
GROWTH
FABRICATION
DEPENDENCE
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
InN nanoflowers grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: art.no.071113
Kang TT (Kang Ting-Ting)
;
Liu X (Liu Xianglin)
;
Zhang RQ (Zhang Ri Q.)
;
Hu WG (Hu Wei G.)
;
Cong G (Cong Guangwei)
;
Zhao FA (Zhao Feng-Ai)
;
Zhu Q (Zhu Qinsheng)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
CRYSTAL-GROWTH
NITRIDE
NANOWIRES
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026
Sun ZZ
;
Yoon SF
;
Wu J
;
Wang ZG
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浏览/下载:83/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MORPHOLOGY
MODULATIONS
SURFACES
INP(001)
GROWTH
ALLOY
INP
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
Influence of (001) vicinal GaAs substrates on the optical properties of defects in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 4, 页码: 504-506
Zhang MH
;
Li Q
;
Zhang YF
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Xu ZY
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
DYNAMICS
Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
GAS-SOURCE MBE
KINETICS
ADSORPTION
SILICON
SI(100)
MECHANISM
SI2H6
PHASE
FILMS
Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077
Yuan ZL
;
Xu ZY
;
Zheng BZ
;
Luo CP
;
Xu JZ
;
Ge WK
;
Zhang PH
;
Yang XP
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MONOLAYER-FLAT ISLANDS
SEMICONDUCTOR INTERFACES
EXCITON TRANSFER
TEMPERATURE
LINEWIDTH
DYNAMICS
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