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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：18/2  |  提交时间：2010/10/29 LUMINESCENCE  LOCALIZATION   Observation of the resonant Raman behavior of individual single-walled carbon nanotubes 会议论文 25th international conference on the physics of semiconductors (icps25), osaka, japan, sep 17-22, 2000 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 ELECTRIC-ARC TECHNIQUE  LARGE-SCALE  SCATTERING  SPECTRA  STOKES  MODES   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN