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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2005 [1]
1998 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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浏览/下载:221/68
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提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
14th latin american symposiumm on solid state physics, oaxaca, mexico, jan 11-16, 1998
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRICAL-PROPERTIES
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GROWTH
INTERDIFFUSION
ISLANDS
SCALE
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