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半导体研究所 [45]
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学科主题
半导体材料 [45]
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学科主题:半导体材料
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Separation of the intrinsic and extrinsic mechanisms of the photo-induced anomalous Hall effect
期刊论文
Physica E, 2017, 卷号: 90, 页码: 55–60
作者:
J.L. Yu
;
Y.H. Chen
;
S.Y. Cheng
;
X.L. Zeng
;
Y. Liu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/05/23
Photo-instability of CdSe/ZnS quantum dots in poly(methylmethacrylate) film
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 24, 页码: 244308 - 244308-5
Hongyi Zhang, Yu Liu, Xiaoling Ye and Yonghai Chen
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2014/03/17
Identifying different mechanisms of circular photogalvanic effect in GaAs/Al0.3Ga0.7As two dimensional electron gas by photo-modulation technique
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 23, 页码: 232402 - 232402-4
Hui Ma, Chongyun Jiang, Yu Liu, Laipan Zhu, Xudong Qin, Yonghai Chen
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/03/17
Observation of photo darkening in self assembled InGaAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 17, 页码: 173508
Zhang, Hongyi
;
Chen, Yonghai
;
Zhou, Xiaolong
;
Jia, Yanan
;
Ye, Xiaoling
;
Xu, Bo
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/08/27
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463
Li, TF
;
Chen, YH
;
Lei, W
;
Zhou, XL
;
Luo, S
;
Hu, YZ
;
Wang, LJ
;
Yang, T
;
Wang, ZG
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/02/06
RAMAN-SCATTERING
SEMICONDUCTING NANOWIRES
OPTOELECTRONIC DEVICES
PHOSPHIDE NANOWIRES
OPTICAL PHONONS
SILICON
CRYSTALS
SPECTRA
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:55/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell
期刊论文
applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 1101-1104
作者:
Guo YB
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浏览/下载:72/7
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提交时间:2011/07/05
HOLOGRAPHIC GRATING FORMATION
LUMINESCENCE
FIELDS
FILMS
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:96/7
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提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
Organic light-emitting diodes with integrated inorganic photo detector for near-infrared optical up-conversion
期刊论文
organic electronics, 2011, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 2090-2094
Guan M (Guan Min)
;
Li LS (Li LinSen)
;
Cao GH (Cao GuoHua)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Wang BQ (Wang BaoQiang)
;
Chu XB (Chu Xinbo)
;
Zhu ZP (Zhu ZhanPing)
;
Zeng YP (Zeng YiPing)
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/02/22
The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2012/01/06
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
ALGAN/GAN
POLARIZATION
PASSIVATION
HFETS
GHZ
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