QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of effective g factor in diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 5, 页码: art. no. 053901 Zhou, R; Sun, BQ; Ruan, XZ; Luo, HH; Ji, Y; Wang, WZ; Zhang, F; Zhao, JH 收藏  |  浏览/下载：52/2  |  提交时间：2010/03/08 GAAS  HETEROSTRUCTURES  ALLOYS   Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Xiao, HL; Wang, XL; Wang, JX; Zhang, NH; Liu, HX; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：101/15  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  WURTZITE INN  NITRIDE  ABSORPTION  ALLOYS  FILMS   MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1485-1488 作者:  Xu Bo 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Rapid thermal annealing of arsenic implanted Si1-xGex epilayers 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1997, 卷号: 122, 期号: 4, 页码: 639-642 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/17 DIFFUSION  SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   Diffusion of ion implanted as in Si1-xGex epilayers 期刊论文 chinese physics letters, 1997, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 51-54 Zou LF; Wang ZG; Sun DZ; Fan TW; Liu XF; Zhang JW 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/17 SILICON  SI  PRECIPITATION  TEMPERATURE   THE OXIDATION-KINETICS OF THIN POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS 期刊论文 journal of the electrochemical society, 1991, 卷号: 138, 期号: 1, 页码: 214-219 WANG YY; JIANG T; SHEN T; SUN TJ; ZHANG AZ; FENG SQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 THERMAL-OXIDATION  INTERFACE