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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   Investigation of Mn-doped Si films prepared by magnetron cosputtering 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 291, 期号: 1, 页码: 239-242 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 Mn doping  magnetron sputtering  MnxSi1-x  diluted magnetic  THIN-FILMS  SPIN-PHOTONICS  SEMICONDUCTORS  GROWTH  FERROMAGNETISM  SPINTRONICS   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials 期刊论文 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 1233-1242 Peng YC; Zhao XW; Fu GS 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/08/12 Si-based nanomaterials  fabricated method  structural characterization  light emitting mechanism  Si-based photoelectronic devices  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ASSEMBLING FORMATION  SILICON QUANTUM DOTS  LASER-ABLATION  OPTICAL-ABSORPTION  POROUS SILICON  LIGHT-EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  FABRICATION  OXYGEN   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：98/14  |  提交时间：2010/08/12 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION   Photoluminescence and optical quenching of photoconductivity studies on undoped GaN grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 3, 页码: 228-232 Xu HZ; Wang ZG; Harrison I; Bell A; Ansell BJ; Winser AJ; Cheng TS; Foxon CT; Kawabe M 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  photoluminescence  optical quenching of photoconductivity  native defect level  molecular beam epitaxy  N-TYPE GAN  DEEP-LEVEL DEFECTS  YELLOW LUMINESCENCE  MAGNETIC-RESONANCE  THIN-FILMS   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS