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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials 期刊论文 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 1233-1242 Peng YC; Zhao XW; Fu GS 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/08/12 Si-based nanomaterials  fabricated method  structural characterization  light emitting mechanism  Si-based photoelectronic devices  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ASSEMBLING FORMATION  SILICON QUANTUM DOTS  LASER-ABLATION  OPTICAL-ABSORPTION  POROUS SILICON  LIGHT-EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  FABRICATION  OXYGEN   Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50 Hayakawa Y; Okano Y; Hirata A; Imaishi N; Kumagiri Y; Zhong X; Xie X; Yuan B; Wu F; Liu H; Yamaguchi T; Kumagawa M 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 microgravity  Chinese recoverable satellite  GaSb  InxGa1-xSb  dissolution  recrystallization  orientation  FLOATING-ZONE GROWTH  INXGA1-XSB CRYSTALS  GASB  MELT  INSB  DIFFUSION  SILICON  CONVECTION  STRIATION   The new exploration for proton-implanted silicon: the conversion of a surface-region-purification-induced p-n junction into a p-i-n electrical structure approaching silicon on insulator 期刊论文 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: l6-l9 Li JM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 ION-IMPLANTATION  HYDROGEN  OXYGEN