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半导体研究所 [99]
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期刊论文 [85]
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发表日期
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2010 [2]
2009 [1]
2008 [6]
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学科主题
半导体材料 [99]
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学科主题:半导体材料
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GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:65/4
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI(001) SUBSTRATE
STRAIN
EPITAXY
Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.68502
Wu M
;
Zeng YP
;
Wang JX
;
Hu Q
收藏
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
LIGHT-EMITTING-DIODES
ULTRAVIOLET
GROWTH
Homogeneous Epitaxial Growth of N,N '-di(n-butyl)quinacridone Thin Films on Ag(110)
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7162-7166
Lin F (Lin Feng)
;
Fang ZY (Fang Zheyu)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Huang S (Huang Shan)
;
Song WT (Song Wentao)
;
Chi LF (Chi Lifeng)
;
Zhu X (Zhu Xing)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/30
MOLECULAR-BEAM DEPOSITION
QUASIEPITAXIAL GROWTH
ORGANIC FILMS
LEED
PTCDA
STM
MONOLAYERS
GRAPHITE
A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:139/13
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提交时间:2010/04/22
MOVPE
In-rich InGaN
Indium incorporation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CRITICAL THICKNESS
DROPLET FORMATION
PHASE-SEPARATION
TEMPERATURE
FILMS
HETEROSTRUCTURES
IMMISCIBILITY
INXGA1-XN
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
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浏览/下载:47/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
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浏览/下载:55/12
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提交时间:2010/03/08
characterization
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:49/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
收藏
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浏览/下载:47/1
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提交时间:2010/03/08
PLD
ZnO films
substrate temperature
crystal quality
grain size
optical properties
Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472
作者:
Yang T
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浏览/下载:253/54
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提交时间:2010/03/08
Metalorganic chemical vapor deposition
Quantum dots
InAs
GaAs
Laser diodes
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