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半导体研究所 [34]
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期刊论文 [30]
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2011 [4]
2010 [2]
2009 [3]
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2006 [3]
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学科主题
半导体材料 [34]
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共34条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Characteristics of charge density waves on the surfaces of quasi-one-dimensional charge-transfer complex layered organic crystals
期刊论文
physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.125434
Lin F
;
Huang XM
;
Qu SC
;
Fang ZY
;
Huang S
;
Song WT
;
Zhu X
;
Liu ZF
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浏览/下载:50/5
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提交时间:2011/07/05
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
MOLECULAR CONDUCTORS
PHASE-TRANSITION
TETRACYANOQUINODIMETHANE
(EDO-TTF)(2)PF6
DERIVATIVES
TTF
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Continuous-wave operation of distributed-feedback quantum cascade laser with ultra-low threshold current density
期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1338-u56
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang LJ (Wang L. J.)
;
Chen JY (Chen J. Y.)
;
Zhao LH (Zhao L. H.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Li L (Li L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/02/22
Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density
期刊论文
optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 8916-8922
作者:
Wang WY
;
Jin P
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浏览/下载:171/44
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提交时间:2010/05/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
NM TUNING RANGE
SUPERLUMINESCENT DIODES
WELL LASER
EMISSION
SPECTROSCOPY
SPECTRUM
A Selective-Area Metal Bonding InGaAsP-Si Laser
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 15, 页码: 1141-1143
Hong T (Hong Tao)
;
Ran GZ (Ran Guang-Zhao)
;
Chen T (Chen Ting)
;
Pan JQ (Pan Jiao-Qing)
;
Chen WX (Chen Wei-Xi)
;
Wang Y (Wang Yang)
;
Cheng YB (Cheng Yuan-Bing)
;
Liang S (Liang Song)
;
Zhao LJ (Zhao Ling-Juan)
;
Yin LQ (Yin Lu-Qiao)
;
Zhang JH (Zhang Jian-Hua)
;
Wang W (Wang Wei)
;
Qin GG (Qin Guo-Gang)
收藏
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浏览/下载:255/27
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提交时间:2010/10/11
InGaAsP-Si laser
selective-area metal bonding (SAMB)
Si photonics
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Electronic structures of wurtzite ZnO, BeO, MgO and p-type doping in Zn1-xYxO (Y = Mg, Be)
期刊论文
computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
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