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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2007 [1]
2006 [2]
2004 [1]
2003 [2]
2000 [2]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Ni, HQ
;
Huang, SS
;
Zhan, F
;
Xiong, YH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:44/1
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提交时间:2010/03/08
LAYERS
SURFACTANT
SUBSTRATE
HEMT
SB
Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation
期刊论文
international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516
Zhu, XF (Zhu, Xianfang)
;
Wang, ZG (Wang, Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/29
nanocavity
nanoparticle
nanoinstabilities
open volume defect
thermodynamic nonequilibrium
nanosize
nanotime
energetic beam irradiation
amorphous structure
nanocurvature
surface energy
WALLED CARBON NANOTUBES
AMORPHOUS-SILICON
ION IRRADIATION
PREFERENTIAL AMORPHIZATION
IN-SITU
INSTABILITY
BEAM
IMPLANTATION
CAVITIES
POINT
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
Liquid phase epitaxy of Al0.3Ga0.7As islands
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 38-41
Sun, J
;
Hu, LZ
;
Sun, YC
;
Wang, ZY
;
Zhang, HZ
收藏
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浏览/下载:425/56
  |  
提交时间:2010/03/09
crystal morphology
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 523-525
Leung, BH
;
Fong, WK
;
Surya, C
;
Lu, LW
;
Ge, WK
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浏览/下载:343/96
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提交时间:2010/03/09
GaN
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351-354
Zhang YH
;
Lu LW
;
Zhang MH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Zhou JM
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
low-temperature-grown GaAs
optical transient spectroscopy
BEAM-EPITAXIAL GAAS
DELINEATION OF DEFECTS IN SIMOX STRUCTURES USING A CHEMICAL ETCHING TECHNIQUE
期刊论文
vacuum, 1992, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 297-299
GILES LF
;
NEJIM A
;
HEMMENT PLF
;
FAN TW
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/15
IMPLANTATION
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