QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458 Zhao Youwen; Sun Niefeng; S. Fung; C. D. Beling; Sun Tongnian; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Residual donors in undoped LEC InP 会议论文 11th international semiconducting and insulating materials conference (simc-xi), canberra, australia, jul 03-07, 2000 Zhao YW; Sun NF; Sun TN; Lin LY; Wu XW; Guo WL; Wu X; Bi KY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 INDIUM-PHOSPHIDE  CARBON  DEFECTS  GROWTH   Dependence of photoluminescence induced by carbon contamination on GeSi structure 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 187, 期号: 2, 页码: 197-202 Guo LW; Shi JJ; Cheng WQ; Li YK; Huang Q; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 SILICON  GROWTH  SUPERLATTICES   SPECTROSCOPIC INVESTIGATION OF HYDROGEN-DOPANT COMPLEXES IN BULK P-TYPE AND IMPLANTED N-TYPE CRYSTALLINE SILICON 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 7, 页码: 3802-3807 RIZK R; DEMIERRY P; SONG C; BALLUTAUD D; PAJOT B 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 MICROSCOPIC STRUCTURE  ACCEPTOR PAIRS  DOPED SILICON  BORON  DEFECT