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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
发表日期
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2009 [1]
2006 [3]
2005 [1]
2004 [2]
2002 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 10-12
作者:
Zhang Yu
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Nanocrystalline silicon films with high conductivity and the application for PIN solar cells
期刊论文
vacuum, 2006, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 126-128
Min C (Cui Min)
;
Zhang WJ (Zhang Weija)
;
Wang TM (Wang Tianmin)
;
Jin F (Jin Fei)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Ding K (Ding Kun)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/04/11
nc-Si : H
conductivity
PECVD
films
solar cells
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338
作者:
Zhang Y
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode
InP substrate
molecular beam epitaxy
high resolution transmission electron microscope
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS
INTRINSIC BISTABILITY
CIRCUIT
Transition films from amporphous to microcrystalline silicon and solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3327-3331
Hao HY
;
Kong GL
;
Zeng XB
;
Xu Y
;
Diao HW
;
Liao XB
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浏览/下载:58/26
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提交时间:2010/03/17
diphasic silicon films
Observation of the current-voltage plateau-like structure of resonant tunnelling diode with prewells under different magnetic fields
期刊论文
chinese physics, 2004, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 954-957
Zhang XX
;
Zeng YP
;
Qiu ZJ
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
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浏览/下载:121/37
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提交时间:2010/03/09
resonant tunnelling diode
Experimental verification on the origin of plateau-like current-voltage characteristics of resonant tunneling diodes
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1961-1963
Qiu ZJ
;
Gui YS
;
Guo SL
;
Dai N
;
Chu JH
;
Zhang XX
;
Zeng YP
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浏览/下载:51/13
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提交时间:2010/03/09
TRANSMISSION COEFFICIENT
Influence of Fe Doping Concentration on Some Properties of Semi-Insulating InP
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1041-1045
Zhao Youwen
;
Luo Yilin
;
Feng Hanyuan
;
Beling C D
;
Lin Lanying
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
EFFECT OF A SI LAYER ON THE SUPERCONDUCTIVE PROPERTIES OF A BIPBSRCACUO THIN-FILM
期刊论文
vacuum, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1031-1032
XU HD
;
ZHANG SH
;
WU H
;
WANG HZ
;
SHI XQ
;
HUANG XM
;
YANG CB
;
CAO XN
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
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