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Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者: Xu B; Jin P; Ye XL

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Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者: Liu XF; Yan GG; Zheng L; Dong L

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Cathodoluminescence and Raman research of V-shape inverted pyramid in HVPE grown GaN film 期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3882-3885
作者: Wei TB; Duan RF

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GaN

Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者: Jin P; Xu B

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Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186
作者: Ye XL; Jin P; Xu B; Li CM

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Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals 期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者: Zhou XL

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The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者: Jiang DS

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A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者: Li CM; Xu B; Jin P; Ye XL

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A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者: Li CM; Xu B; Jin P

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