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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2003 [1]
2000 [2]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/14
OXYGEN
GATE
DIFFUSION
FILMS
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:68/25
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提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359
作者:
Xu B
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
rapid thermal annealing
InGaAs/GaAs
quantum dots
molecular beam epitaxy
LUMINESCENCE
FABRICATION
GAAS(100)
INTERFACE
LASER
LAYER
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 556-559
Liu JP
;
Kong MY
;
Liu XF
;
Li JP
;
Huang DD
;
Li LX
;
Sun DZ
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
strain relaxation
Si SiGe
interdiffusion
morphological evolution
QUANTUM DOTS
RELAXATION
INAS
STRANSKI-KRASTANOW GROWTH
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