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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)   Growth temperature effect on the optical and material properties of AlxInyGa1-x-yN epilayers grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 84-90 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 surfaces  X-ray diffraction  growth from high temperature solutions  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  DIODES  GAN