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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2002 [2]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Evolution of wetting layer in InAs/GaAs quantum dot system
期刊论文
nanoscale research letters, 2006, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 79-83
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dots
wetting layer
reflectance difference spectroscopy
segregation
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/10/29
SHORT-PERIOD SUPERLATTICES
RAMAN-SCATTERING
QUANTUM-WELLS
GROWTH
ROUGHNESS
SEGREGATION
ALAS/GAAS
ALAS
GAAS
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 62-65
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:63/4
  |  
提交时间:2010/08/12
reflectance-difference spectroscopy
indium segregation
InGaAs/GaAs quantum wells
EPITAXY-GROWN INGAAS/GAAS
SURFACE SEGREGATION
INTERFACE
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
reflectance-difference spectroscopy
indium segregation
InGaAs/GaAs quantum wells
EPITAXY-GROWN INGAAS/GAAS
SURFACE SEGREGATION
INTERFACE
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