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Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2011/09/14
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1) 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M; Wang, XL; Pan, X; Xiao, HL; Wang, CM; Hou, QF; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06
蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 902-908
作者:  段瑞飞;  魏同波
收藏  |  浏览/下载：180/20  |  提交时间：2010/11/23
High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111) 会议论文
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Wang, XY (Wang, Xiaoyan); Wang, XL (Wang, Xiaoliang); Wang, BZ (Wang, Baozhu); Xiao, HL (Xiao, Hongling); Liu, HX (Liu, Hongxin); Wang, JX (Wang, Junxi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Li, JM (Li, Jinmin)
收藏  |  浏览/下载：126/38  |  提交时间：2010/03/29
带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:  赵强
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23
分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 384-386
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载：224/3  |  提交时间：2010/11/23
Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564
Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/03/17
STRESS  
表面应力诱导InGan量子点的生长及其性质 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 39-43
作者:  韩培德;  黎大兵
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
ne-Si:H薄膜的内应力特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2003, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 285-290
韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 韩和相; 丁琨
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
作者:  黎大兵;  韩培德
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23

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