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| Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者: Jiang DS
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| Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW; Zhao YW; Zeng YP; Jiao JH; Li JM; Lin LY
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| The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者: Jiang DS
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| Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者: Xu B
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| Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522
作者: Xu B
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| Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505
作者: Jiang DS
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| Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794
Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY
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| Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 356-359
作者: Xu B; Ye XL
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| 1.35 mu m photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/(GaAs)(1) monolayer deposition 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22
Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH
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| Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355
Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Yoon SF; Zheng HQ; Kong MY; Lin LY
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