×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2010 [2]
2000 [3]
学科主题
半导体材料 [5]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/12/12
DEPENDENCE
SPECTRA
Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005
Huang TM (Huang TianMao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai YM (BaiYiMing)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Yang XL (Yang XiaoLi)
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/11/14
polycrystalline silicon thin film
aluminum induced crystallization
(111) preferred orientation
INDUCED LAYER-EXCHANGE
AMORPHOUS-SILICON
SOLAR-CELLS
GLASS
SI
ORIENTATION
MODEL
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:72/14
  |  
提交时间:2010/08/12
n-type doping
p-type doping
Si/SiGe
HBT
GSMBE
SI
A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249
Yu Z
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Huang CJ
;
Lei ZL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Liang JW
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SiGe/Si
epitaxial growth
surface reaction kinetics
UHV/CVD system
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
ATOMIC-HYDROGEN
ADSORPTION
SI(100)
SI2H6
SIH4
MECHANISMS
DESORPTION
PHASE
FILMS
The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Kong MY
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:89/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GSMBE
SiGe alloy
doping
SIMS
HBT
current gain
SI
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace