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半导体研究所 [9]

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半导体材料 [9]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512 Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H 收藏 \| 浏览/下载：65/6 \| 提交时间：2011/07/05 FIELD-EFFECT TRANSISTORS GAN DEPENDENCE CONTACTS STATES NI
	Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105 Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：58/2 \| 提交时间：2011/07/05 AlGaN/GaN heterostructures thermal stressing polarization self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations FIELD-EFFECT TRANSISTORS POLARIZATION STABILITY CHARGE GAN
	Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏 \| 浏览/下载：215/46 \| 提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS LOW-POWER APPLICATIONS HEMTS MODULATION HETEROSTRUCTURES TECHNOLOGY CHANNEL VOLTAGE MASS
	The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏 \| 浏览/下载：99/1 \| 提交时间：2010/03/08 GaN HEMT 2DEG mobility polarization
	Self-consistent analysis of double-delta-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2735-2741 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas high electron mobility transistor self-consistent calculation InAlAs/InGaAs heterostructure CHARGE CONTROL MODEL ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS PSEUDOMORPHIC INGAAS HEMT FIELD-EFFECT TRANSISTOR QUANTUM-WELL ALGAAS/INGAAS PHEMTS GATE RECESS HIGH-SPEED HETEROJUNCTION CHANNEL
	Concentration effect of Mn2+ on the photoluminescence of ZnS : Mn nanocrystals 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 454-460 Peng WQ; Qu SC; Cong GW; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：39/20 \| 提交时间：2010/03/17 doping
	Photoluminescence investigation of two-dimensional electron gas in an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2096-2099 Han, XX; Wu, JJ; Li, JM; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：45/17 \| 提交时间：2010/03/17 DISLOCATION SCATTERING
	Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 Li, JM; Lu, YW; Li, DB; Han, XX; Zhu, QS; Liu, XL; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2010/03/17 RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
	Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者: Han XX; Li DB 收藏 \| 浏览/下载：118/32 \| 提交时间：2010/03/09 FIELD-EFFECT TRANSISTORS

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