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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [12]
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学科主题
半导体材料 [13]
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共13条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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A theory study of the multiplication characteristics of InP/InGaAs avalanche photodiodes with double multiplication layers and double charge layers
期刊论文
optics communications, 2016, 卷号: 374, 页码: 114-118
Guipeng Liu
;
WenjieChen
;
LinshengLiu
;
PengJin
;
YonghuiTian
;
JianhongYang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/03/10
An intermediate-band-assisted avalanche multiplication in InAs/InGaAs quantum dots-in-well infrared photodetector
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.73504
Lin L
;
Zhen HL
;
Zhou XH
;
Li N
;
Lu W
;
Liu FQ
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浏览/下载:41/5
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提交时间:2011/07/05
DETECTORS
RESPONSIVITY
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:237/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:76/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
Raman study on self-assembled InAs/InAlAs/InP(001) quantum wires
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1974-1977
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:122/35
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提交时间:2010/03/17
VIBRATIONAL PROPERTIES
Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64
Zhang, CL
;
Wang, ZG
;
Zhao, FA
;
Xu, B
;
Jin, P
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浏览/下载:212/52
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提交时间:2010/03/09
line defects
Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/08/12
amorphous layer
dislocation
transmission electron microscopy
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HIGH-QUALITY GAN
HETEROEPITAXIAL GROWTH
ELECTRON-DIFFRACTION
DEFECT STRUCTURE
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
(111)SI
LAYER
Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
etching
metalorganic vapor-phase epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
FILMS
DISLOCATIONS
DENSITY
GROWTH
LAYERS
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