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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Ran, JX; Wang, XL; Hu, GX; Li, JP; Wang, JX; Wang, CM; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：168/71  |  提交时间：2010/03/29 ALN  IMPURITIES  DONOR   Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：86/8  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  growth models  ion bombardment  reflection high energy electron diffraction  physical vapor phase deposition  semiconducting silicon compounds  CUBIC GAN  GROWTH  DEPOSITION  EPITAXY  SILICON  DIAMOND   Microstructures of microcrystalline silicon thin films prepared by hot wire chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 360, 期号: 1-2, 页码: 205-212 Zhu M; Guo X; Chen G; Han H; He M; Sun K 收藏  |  浏览/下载：104/0  |  提交时间：2010/08/12 microstructures  microcrystalline silicon  hot wire chemical vapor deposition  AMORPHOUS-SILICON  HYDROGEN  PLASMA  SPECTRA  GROWTH  SILANE