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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：230/30  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  BUFFER LAYER  THREADING DISLOCATIONS  TEMPERATURE  EVOLUTION  SURFACE  MOVPE   Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：292/3  |  提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry  lateral overgrowths  surface morphology  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  SAPPHIRE SUBSTRATE  NUCLEATION LAYERS  QUALITY  TEMPERATURE   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：93/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Zhuang QD; Li HX; Pan L; Li JM; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 X-RAY-DIFFRACTION  ISLANDS  SURFACES  GROWTH   Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 1161-1163 Zhuang QD; Li HX; Pan L; Li JM; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  ISLANDS  SURFACES  GROWTH  X-RAY-DIFFRACTION