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半导体研究所 [23]
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学科主题
半导体材料 [23]
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学科主题:半导体材料
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Molecular Beam Epitaxy of Zero Lattice-Mismatch InAs/GaSb Type-II Superlattice
期刊论文
chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 128103
Hai-Long Yu
;
Hao-Yue Wu
;
Hai-Jun Zhu
;
Guo-Feng Song
;
Yun Xu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/16
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Superconductivity in Iron Telluride Thin Films under Tensile Stress
期刊论文
physical review letters, 104 (1): jan 8 2010, 2010, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 017003
作者:
Wang XY
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浏览/下载:73/14
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提交时间:2010/04/13
43 K
FESE
COMPOUND
PRESSURE
Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005
Huang TM (Huang TianMao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai YM (BaiYiMing)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Yang XL (Yang XiaoLi)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/14
polycrystalline silicon thin film
aluminum induced crystallization
(111) preferred orientation
INDUCED LAYER-EXCHANGE
AMORPHOUS-SILICON
SOLAR-CELLS
GLASS
SI
ORIENTATION
MODEL
Thermal induced facet destructive feature of quantum cascade lasers
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 14, 页码: art. no. 141117
Zhang QD (Zhang Quande)
;
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Zhang W (Zhang Wei)
;
Lu QY (Lu Quanyong)
;
Wang LJ (Wang Lijun)
;
Li L (Li Lu)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:123/17
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提交时间:2010/04/28
laser beam effects
quantum cascade lasers
thermal conductivity
MU-M
TEMPERATURE
OPERATION
PERFORMANCE
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
international materials research conference, chongqing, peoples r china, jun 09-12, 2008
作者:
Sun BJ
;
Zhao DG
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/09
AlxGa1-xN
Band-gap bowing and p-type doping of (Zn, Mg, Be)O wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
european physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
Shi HL
;
Duan Y
收藏
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浏览/下载:151/26
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
ZINCBLENDE
OFFSETS
GAASN
CDTE
BEO
Growth and characterization of AlGaN/AlN/GaN HEMT structures with a compositionally step-graded AlGaN barrier layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1705-1708
Ma ZY (Ma Zhi-Yong)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Luo WJ (Luo Wei-Jun)
;
Tang J (Tang Jian)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2010/03/29
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
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浏览/下载:59/22
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提交时间:2010/03/17
cracks
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
Song SL
;
Chen NF
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
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浏览/下载:356/46
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提交时间:2010/03/09
auger electron spectroscopy
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