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Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2011/07/05
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.)
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11
Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:  Jin P;  Xu B
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15
A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12
Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204
作者:  Xu B;  Ye XL
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12

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