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科研机构
半导体研究所 [4]
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期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [2]
2008 [1]
2005 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463
Li, TF
;
Chen, YH
;
Lei, W
;
Zhou, XL
;
Luo, S
;
Hu, YZ
;
Wang, LJ
;
Yang, T
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/02/06
RAMAN-SCATTERING
SEMICONDUCTING NANOWIRES
OPTOELECTRONIC DEVICES
PHOSPHIDE NANOWIRES
OPTICAL PHONONS
SILICON
CRYSTALS
SPECTRA
Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:45/4
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提交时间:2011/07/15
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
TUNING RANGE
NM
EMISSION
SPECTRUM
SPECTROSCOPY
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
作者:
Hou QF
;
Zhang ML
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/09
ALGAN/GAN HEMTS
InAs/GaAs quantum-dot superluminescent diodes with 110 nm bandwidth
期刊论文
electronics letters, 2005, 卷号: 41, 期号: 25, 页码: 1400-1402
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
SPECTRUM
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