×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2005 [1]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2455-2459
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:265/60
  |  
提交时间:2010/09/07
Quantum dots
Temperature dependent
Photoluminescence
Surface localized centers
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
收藏
  |  
浏览/下载:83/25
  |  
提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
Synthesis and optical properties of europium-doped ZnS: Long-lasting phosphorescence from aligned nanowires
期刊论文
advanced functional materials, 2005, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 1883-1890
Cheng BC
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:105/18
  |  
提交时间:2010/03/17
ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Er-doped silica glass
sol-gel process
photoluminescence
PLANAR WAVE-GUIDES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CRYSTAL SILICON
IMPLANTED SI
LUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
FABRICATION
IMPURITIES
FILMS
IONS
Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy
期刊论文
vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137
Wu Z
;
Huang D
;
Yang X
;
Wang J
;
Qin F
;
Zhang J
;
Yang Z
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SPECTROSCOPY
ENERGY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace