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半导体研究所 [16]

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半导体材料 [16]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者: Yang T; Yang XG; Wang KF 收藏 \| 浏览/下载：67/2 \| 提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY TEMPERATURE-DEPENDENCE SELF-FORMATION LAYERS WELL MBE
	InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377 作者: Jia CH; Zhou XL 收藏 \| 浏览/下载：118/26 \| 提交时间：2010/04/13 TiO3 Growth behavior MOCVD InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PHASE EPITAXY PRESSURE
	Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204 作者: Jia CH 收藏 \| 浏览/下载：258/27 \| 提交时间：2010/03/08 Growth behavior SrTiO3 MOCVD ZnO
	Anomalous temperature dependence of photoluminescence from stoichiometric GD(2)O(3-x) film 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 136-142 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF 收藏 \| 浏览/下载：109/14 \| 提交时间：2010/03/09 photoluminescence
	In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 126-130 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：57/0 \| 提交时间：2010/08/12 dislocation interfaces strain molecular beam epitaxy semiconductor IIIV materials MOLECULAR-BEAM EPITAXY SURFACE-MORPHOLOGY TECHNOLOGY GAAS(001) BEHAVIOR SI
	The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者: Jiang DS 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2010/08/12 photoluminescence molecular beam epitaxy quantum wells III-V semiconductors MOLECULAR-BEAM EPITAXY SINGLE-QUANTUM-WELL LUMINESCENCE GAAS LOCALIZATION BEHAVIOR LAYER
	Statistical investigation on morphology development of gallium nitride in initial growth stage 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 77-84 Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Chen Z; Han P; Wang XH; Wang D 收藏 \| 浏览/下载：78/3 \| 提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy crystal morphology organic vapor phase epitaxy nitrides CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION AIN BUFFER LAYER GAN SAPPHIRE ALN EPITAXY MOVPE
	Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：63/0 \| 提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction etching metalorganic vapor-phase epitaxy nitrides semiconducting III-V materials LIGHT-EMITTING-DIODES VAPOR-PHASE EPITAXY FILMS DISLOCATIONS DENSITY GROWTH LAYERS
	Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏 \| 浏览/下载：100/7 \| 提交时间：2010/08/12 computer simulation molecular vapor phase epitaxy nitrides semiconducting quaternary alloys CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION QUATERNARY ALLOYS PHASE EPITAXY GAN ALINGAN
	Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏 \| 浏览/下载：101/8 \| 提交时间：2010/08/12 impurities molecular beam epitaxy nitrides semiconducting III-V materials GALLIUM NITRIDE SAPPHIRE SUBSTRATE DEFECTS HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTORS STRESS

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