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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23 作者:  Duan Ruifei;  Liu Zhe;  Duan Ruifei;  Wei Tongbo 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20 作者:  Zhou XL 收藏  |  浏览/下载：441/157  |  提交时间：2010/03/09 etch-pit density   Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively 会议论文 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Chen NF; Zhong XG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  CRYSTALS  DEFECTS   Improvement of stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide grown under microgravity 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 3, 页码: 586-588 Lin LY; Zhong XR; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GaAs  stoichiometry  microgravity  DEFECTS