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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2002 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:55/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Energy band alignment of SiO2/ZnO interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: art. no. 043709
作者:
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Song HP
;
You JB
收藏
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浏览/下载:83/3
  |  
提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
ZNO
ELECTROLUMINESCENCE
OFFSETS
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:182/43
  |  
提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
收藏
  |  
浏览/下载:94/4
  |  
提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Er-doped silicon
photoluminescence
energy transfer
AL2O3 WAVE-GUIDES
ER
ELECTROLUMINESCENCE
EPITAXY
GAAS
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
期刊论文
optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 255-258
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Er-doped silicon
photoluminescence
energy transfer
AL2O3 WAVE-GUIDES
ER
ELECTROLUMINESCENCE
EPITAXY
GAAS
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