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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152 Wu J; Lin F 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP  misfit dislocations  surface morphology  GROWTH  RELAXATION  SUBSTRATE  CIRCUITS   Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses 会议论文 conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Chen BW; Yu JZ; Wang QM; Xie DT; Wu JG; Xu DF; Xu GX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Er-doped silica glass  sol-gel process  photoluminescence  PLANAR WAVE-GUIDES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRYSTAL SILICON  IMPLANTED SI  LUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE  FABRICATION  IMPURITIES  FILMS  IONS   Alignment of threading dislocations in the In0.3Ga0.7As/GaAs superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 187, 期号: 3-4, 页码: 363-366 Wu J 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  INXGA1-XAS/GAAS  GAAS   BREAKING UP OF MISFIT DISLOCATIONS IN GAASIN0.3GA0.7AS/GAAS HETEROSTRUCTURE 期刊论文 applied physics letters, 1995, 卷号: 67, 期号: 6, 页码: 846-847 WU J; LI W; FAN TW; WANG ZG; DUAN XF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 RELAXATION