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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 494-499 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructures   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：79/6  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   Effects of interdiffusion on the luminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs overgrowth layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 216-219 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 rapid thermal annealing  InAs quantum dots  InGaAs overgrowth layer  photoluminescence  OPTICAL-PROPERTIES   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER