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半导体研究所 [36]
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期刊论文 [31]
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学科主题
半导体材料 [36]
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共36条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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Passively Mode-Locked Quantum-Well Laser With a Saturable Absorber Having Gradually Varied Bandgap
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 889-892
作者:
Junjie Xu
;
Song Liang
;
Songtao Liu
;
Lijun Qiao
;
Siwei Sun
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2018/05/31
Possible atomic structures responsible for the sub-bandgap absorption of chalcogen hyper doped
期刊论文
applied physics letters, 2015, 卷号: 107, 页码: 112106
KeFan Wang
;
Hezhu Shao
;
Kong Liu
;
Shengchun Qu
;
Yuanxu Wang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/03/23
Title: Enhanced Impurity-Free Intermixing Bandgap Engineering for InP-Based Photonic Integrated
期刊论文
chinese physics letters, 2014, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 044204
Cui, X
;
Zhang, C
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Hou, LP
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/04/02
Biaxial stress-induced giant bandgap shift in BiFeO3 epitaxial films
期刊论文
physica status solidi-rapid research letters, 2012, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 37-39
Fu, Z
;
Yin, ZG
;
Chen, NF
;
Zhang, XW
;
Zhang, H
;
Bai, YM
;
Wu, JL
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/17
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.28402
作者:
Hou QF
;
Yin HB
收藏
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浏览/下载:43/6
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提交时间:2011/07/05
InGaN
solar cell
multiple quantum wells
IN1-XGAXN ALLOYS
BAND-GAP
INN
Evaluating the effect of dislocation on the photovoltaic performance of metamorphic tandem solar cells
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 2569-2574
Zhang H (Zhang Han)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Wang YS (Wang YanSuo)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Bai YM (Bai YiMing)
;
Fu Z (Fu Zhen)
收藏
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浏览/下载:250/25
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提交时间:2010/09/07
tandem solar cell
theoretical efficiency
dislocation
buffer layers
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
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浏览/下载:41/3
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提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:236/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:310/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
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