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Synthesis and microwave absorbing properties of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) microspheres 期刊论文
polymers for advanced technologies, 2011, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 532-537
Ni XW; Hu XJ; Zhou SY; Sun CH; Bai XX; Chen P
收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2011/07/05
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Pan X
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2011/09/14
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:  Zhao J
收藏  |  浏览/下载：47/4  |  提交时间：2011/07/05
Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64
Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P
收藏  |  浏览/下载：213/52  |  提交时间：2010/03/09
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:  Han PD
收藏  |  浏览/下载：76/5  |  提交时间：2010/08/12
X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32
Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH
收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12
Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic GaN films on GaAs(001) substrates 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401
作者:  Zhao DG
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12
Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652
Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12
The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490
Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12

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