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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [8]
会议论文 [3]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [2]
2004 [2]
2001 [2]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:130/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:78/1
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Ma ZY (Ma Zhiyong)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Tang H (Tang Han)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Jinmin LM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
2DEG
Growth of a novel periodic structure of SiC/AlN multilayers by low pressure chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1753-1755
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Li JY (Li Jia-Ye)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
SUBSTRATE
升华法生长AlN体单晶初探
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 1241-1245
作者:
魏学成
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:
Xiao Hongling
;
Wang Cuimei
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Second-Order Raman Scattering from n- and p-Type 4H-SiC
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1555-1560
Gao Xin
;
Sun Guosheng
;
Li Jinmin
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Zhang Yongxin
;
Zeng Yiping
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
Gao, X
;
Li, JM
;
Sun, GS
;
Zhang, NH
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:136/48
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提交时间:2010/03/29
SI(111)
ALN
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
optical microscopy
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
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