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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2005 [3]
2003 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
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浏览/下载:33/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Kang, TT
;
Hu, WG
;
Yang, SY
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer
期刊论文
pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794
Shi, GX
;
Xu, B
;
Jin, P
;
Ye, XL
;
Cui, CX
;
Zhang, CL
;
Wu, J
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/03/17
quantum dots
strain buffer layer
InAs
photoluminescence
WELL
LASER
LAYER
Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots
期刊论文
vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Wang, XH
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Han, PD
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
nanostructure
Growth of low-density InAs/GaAs quantum dots on a substrate with an intentional temperature gradient by molecular beam epitaxy
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2775-2778
作者:
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:465/1
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提交时间:2010/04/11
GAAS
Abnormal effect of growth interruption on GaSb quantum dots formation grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 99-104
Luo XD
;
Xu ZY
;
Wang YQ
;
Wang WX
;
Wang JN
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
growth interruption
molecular beam epitaxy
quantum dots
GaSb
WELLS
Dislocations in InAs epilayers grown by MBE on GaAs substrates under various conditions
会议论文
symposium on electron microscopy of semiconducting materials and ulsi devices at the spring materials-research-society meeting, san francisco, ca, apr 15-16, 1998
Wang HM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Zhou HW
;
Zhu ZP
;
Kong MY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/10/29
Self-consistent calculation of electronic states in asymmetric double barrier structure
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 367-371
Song AM
;
Zheng HZ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/17
electron states
RESONANT-TUNNELING STRUCTURE
SPACE-CHARGE BUILDUP
INTRINSIC BISTABILITY
PHONON-EMISSION
DEVICES
DIODE
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