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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文 7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004 Sun, GS; Ning, J; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：208/60  |  提交时间：2010/03/29 4H-SiC  LPCVD homoepitaxial growth  thermal oxidization  MOS structures  HOT-WALL CVD   INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY AND ATOMIC-FORCE MICROSCOPY 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1994, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 2437-2439 YU T; LAIHO R; HEIKKILA L 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/15 PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  WAFERS