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GaAs基上的InAs量子环制备 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2006, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 432-435
作者:  叶小玲;  金鹏
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制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析 期刊论文
材料导报, 2006, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 122-125
吴燕; 朱贤方; 王占国
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AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2005, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 35-41
作者:  王翠梅
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异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究 期刊论文
电子显微学报, 2005, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 23-28
作者:  张兴旺
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神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 期刊论文
空间科学学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 455-461
张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 1289-1292
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2010/11/23
Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英
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Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 130-134
孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 李建平; 曾一平; 林兰英
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384
作者:  黎大兵;  韩培德
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