AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展 | |
王翠梅 | |
刊名 | 固体电子学研究与进展 |
2005 | |
卷号 | 25期号:1页码:35-41 |
中文摘要 | 简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施. |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 中科院创新工程重要方向性项目经费,国家自然科学基金重点项目,"973"项目,"863"项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17155] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王翠梅. AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展[J]. 固体电子学研究与进展,2005,25(1):35-41. |
APA | 王翠梅.(2005).AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展.固体电子学研究与进展,25(1),35-41. |
MLA | 王翠梅."AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究进展".固体电子学研究与进展 25.1(2005):35-41. |
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