中国开放科研知识云: 检索

Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935
作者: 陈涌海; 叶小玲

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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1149-1153
作者: 刘超

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单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 43-48
作者: 王俊; 王俊

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非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应 期刊论文
电子学报, 2001, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1076
李柳青; 廖显伯; 游志朴

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a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究 期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418
王永谦; 陈长勇; 陈维德; 杨富华; 刁宏伟; 许振嘉; 张世斌; 孔光临; 廖显伯

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镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的Raman散射研究 期刊论文
中国科学. A辑，数学, 2000, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 169
马智训; 廖显伯; 孔光临; 褚君浩

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SiOx:H（O 期刊论文
物理学报, 1998, 卷号: 47, 期号: 6, 页码: 1033
马智训; 廖显伯; 何杰; 程文超; 岳国珍; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临
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对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 538
黄大定; 王军杰; 杨锡震; 吴正龙

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As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 717
邹吕凡; 王占国; 孙殿照; 何沙; 范缇文; 刘学锋; 张靖巍

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Au、Al/a-Si:H热退火行为研究 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 186
金澍; 刘洪图; 赵特秀; 吴志强; 沈波; 许振嘉

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