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半导体研究所 [25]
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学科主题:半导体材料
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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
电化学腐蚀法制备多孔波导量子级联激光器的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
尹雯
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2011/05/06
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:
王俊
;
王俊
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2011/08/16
自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究
期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
羊建坤
;
段瑞飞
;
霍自强
;
魏同波
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/08/16
解理面预处理方法对二次外延的影响
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548
作者:
陈涌海
;
徐波
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永
;
赵有文
;
占荣
;
高永亮
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
作者:
刘喆
;
魏同波
;
段瑞飞
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 12, 页码: 2127-2133
赵有文
;
董志远
;
孙文荣
;
段满龙
;
杨子祥
;
吕旭如
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
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浏览/下载:176/0
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提交时间:2009/09/19
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