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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [15]
专著 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2006 [2]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [17]
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学科主题:半导体材料
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AlN材料外延技术及其应用研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2017/05/27
金属有机化合物气相沉积(MOCVD)
深紫外LED
氮化铝(AlN)
成核层
双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池
期刊论文
材料工程, 2011, 卷号: xx, 期号: 8, 页码: 5-7,13
作者:
杨萍
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姚文杰
;
刘石勇
;
彭文博
;
谢小兵
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2012/07/17
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孑L硅光电性质的影响
期刊论文
激光技术, 2010, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 766-769
作者:
梁德春
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2011/08/16
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
刘斌
;
陈涌海
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 16-20
作者:
刘磊
;
刘磊
;
刘磊
;
刘磊
;
汪宇
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983
罗卫军
;
陈晓娟
;
李成瞻
;
刘新宇
;
和致经
;
魏珂
;
梁晓新
;
王晓亮
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/11/23
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
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浏览/下载:360/0
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提交时间:2009/09/19
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 936-940
高欣
;
孙国胜
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李晋闽
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赵万顺
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王雷
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张永兴
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曾一平
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1890-1894
谷锦华
;
周玉琴
;
朱美芳
;
李国华
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丁琨
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周炳卿
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刘丰珍
;
刘金龙
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张群芳
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光
期刊论文
红外与毫米波学报, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42
方再利
;
苏付海
;
马宝珊
;
丁琨
;
韩和相
;
李国华
;
苏萌强
;
葛惟锟
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
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