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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 杜泽杰 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2017/05/27 金属有机化合物气相沉积（MOCVD）  深紫外LED  氮化铝（AlN）  成核层   应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1740-1743 作者:  陈涌海;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究 期刊论文 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 11, 页码: 2879-2882 仇志军; 蒋春萍; 桂永胜; 疏小舟; 郭少令; 褚君浩; 崔利杰; 曾一平; 朱战平; 王保强 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 MBE InGaAs/GaAs外延层晶胞弛豫直接测量的X射线双晶衍射方法 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 508 作者:  王玉田;  马文全 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 罗帅; 季海铭; 杨涛 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/28