变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

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	变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
	仇志军 ; 蒋春萍 ; 桂永胜 ; 疏小舟 ; 郭少令 ; 褚君浩 ; 崔利杰 ; 曾一平 ; 朱战平 ; 王保强
刊名	物理学报
	2003
卷号	52 期号:11 页码:2879-2882
中文摘要	在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
英文摘要	在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4801.pdf: 416117 bytes, checksum: e302b7ae98af7a3f062cddcd5e4ad5d8 (MD5) Previous issue date: 2003; 国家重点基础研究发展规划项目; 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17561]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	仇志军,蒋春萍,桂永胜,等. 变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究[J]. 物理学报,2003,52(11):2879-2882.
APA	仇志军.,蒋春萍.,桂永胜.,疏小舟.,郭少令.,...&王保强.(2003).变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究.物理学报,52(11),2879-2882.
MLA	仇志军,et al."变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究".物理学报 52.11(2003):2879-2882.