中国开放科研知识云: 检索

收藏 | 浏览/下载：535/0 | 提交时间：2016/06/03

周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 187-194
作者: 曲胜春; 刘孔

收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2012/07/17

以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 期刊论文
发光学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 861-864
作者: 王晓峰

收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2010/11/23

收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2010/11/23

蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 902-908
作者: 段瑞飞; 魏同波

收藏 | 浏览/下载：180/20 | 提交时间：2010/11/23

MOCVD生长GaN力学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
作者: 段瑞飞; 魏同波

收藏 | 浏览/下载：131/4 | 提交时间：2010/11/23

Si基外延GaN的结构和力学性能 期刊论文
材料研究学报, 2007, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 409-413
作者: 刘喆; 魏同波

收藏 | 浏览/下载：136/18 | 提交时间：2010/11/23

缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470
作者: 韩修训; 黎大兵

收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/11/23

Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 135-138
孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英

收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2010/11/23

立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文
中国科学. A辑，数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
作者: 王玉田

收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2010/11/23

在结果中检索