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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
专著 [1]
发表日期
2009 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 16-20
作者:
刘磊
;
刘磊
;
刘磊
;
刘磊
;
汪宇
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2010/11/23
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4143-4147
周文政
;
林铁
;
商丽燕
;
黄志明
;
朱博
;
崔利杰
;
高宏玲
;
李东临
;
郭少令
;
桂永胜
;
褚君浩
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
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浏览/下载:360/0
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提交时间:2009/09/19
不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1012-1015
作者:
陈涌海
;
徐波
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
期刊论文
北京师范大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 474-477
作者:
牛智川
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
迭层太阳电池中电流、电压及功率分配的理论分析
期刊论文
太阳能学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 486
袁海荣
;
向贤碧
;
陈庭金
;
陆大成
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 231
作者:
朱洪亮
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy
期刊论文
defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65
作者:
Han PD
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
HREM
large-angle stereo-projection
misfit dislocations
stacking faults
TEM
LAYER
SUPERLATTICES
ELECTRON-MICROSCOPY
InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 131
作者:
李伟
;
李伟
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
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