InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究

	InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究
	李伟; 李伟
刊名	红外与毫米波学报
	1997
卷号	16 期号:2 页码:131
中文摘要	在15K下测量了InAs/GaAs亚单层结构的静压光致发光，静压范围为0～8GPa.常压下InAs层中重空穴激子的发光峰随InAs层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小。其压力行为与GaAs基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于InAs/GaAs亚单层结构。得到平均厚度为1/3单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为23和42meV。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19335]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李伟,李伟. InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,1997,16(2):131.
APA	李伟,&李伟.(1997).InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究.红外与毫米波学报,16(2),131.
MLA	李伟,et al."InAs/GaAs亚单层结构的静压光谱研究".红外与毫米波学报 16.2(1997):131.