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半导体研究所 [7]
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学科主题：半导体材料
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中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
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浏览/下载：47/0
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提交时间：2017/05/31
窄带隙半导体
锑化镓量子阱
中红外激光器
分子束外延
DBR光栅
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载：535/0
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提交时间：2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析
期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:
王俊
;
王俊
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浏览/下载：34/0
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提交时间：2011/08/16
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
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浏览/下载：357/0
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提交时间：2009/09/19
脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响
期刊论文
光学学报, 2005, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 1371-1374
作者:
赵杰
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浏览/下载：27/0
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提交时间：2010/11/23
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1647-1651
作者:
金鹏
;
徐波
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浏览/下载：3/0
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提交时间：2010/11/23
原子氢辅助分子束外延生长台阶状表面形貌的研究
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 148-152
作者:
牛智川
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2010/11/23
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